CVD銅基底石墨烯薄膜
發(fā)布日期：2024-09-13 來源： 瀏覽次數(shù)：22
合肥微晶材料科技有限公司（VIGON）采用化學氣相沉積（CVD）技術在銅基底上成功制備了高品質(zhì)的石墨烯薄膜。這種薄膜因其優(yōu)異的電子、熱學和力學性能，在科研實驗中展現(xiàn)出廣泛的應用前景。
CVD技術是一種在氣相中進行化學反應，生成固態(tài)薄膜或顆粒沉積在基底上的過程。在制備石墨烯薄膜時，通常使用甲烷和氫氣作為碳源和還原劑，在高溫下進行反應，碳原子在銅基底表面逐漸沉積形成石墨烯層。
一、產(chǎn)品特點
1、單層，晶格缺陷少，接近本征石墨烯;
2、可見光透過率高，導電性良好;
3、加工性好，可以轉(zhuǎn)移在不同的基材上。
二、特征與優(yōu)勢
CVD銅基底石墨烯薄膜的制備，采用化學氣相沉積法，將碳源高溫分解沉積在銅基底表面，形成了二維碳原子層。CVD銅基底石墨烯薄膜的單層率高，品質(zhì)優(yōu)異，可實現(xiàn)石墨烯大面積生長，且較易轉(zhuǎn)移到其它各種基材上使用。
合肥微晶材料科技有限公司（VIGON）采用化學氣相沉積（CVD）技術在銅基底上成功制備了高品質(zhì)的石墨烯薄膜。這種薄膜因其優(yōu)異的電子、熱學和力學性能，在科研實驗中展現(xiàn)出廣泛的應用前景。
CVD技術是一種在氣相中進行化學反應，生成固態(tài)薄膜或顆粒沉積在基底上的過程。在制備石墨烯薄膜時，通常使用甲烷和氫氣作為碳源和還原劑，在高溫下進行反應，碳原子在銅基底表面逐漸沉積形成石墨烯層。
一、產(chǎn)品特點
1、單層，晶格缺陷少，接近本征石墨烯;
2、可見光透過率高，導電性良好;
3、加工性好，可以轉(zhuǎn)移在不同的基材上。
二、特征與優(yōu)勢
CVD銅基底石墨烯薄膜的制備，采用化學氣相沉積法，將碳源高溫分解沉積在銅基底表面，形成了二維碳原子層。CVD銅基底石墨烯薄膜的單層率高，品質(zhì)優(yōu)異，可實現(xiàn)石墨烯大面積生長，且較易轉(zhuǎn)移到其它各種基材上使用。
