CVD石墨烯是一種由蜂窩單層碳原子組成的二維結(jié)構(gòu)材料。其獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的結(jié)晶性能使其在光電子器件、傳感器和太陽能領(lǐng)域具有重要意義。目前，石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、氧化還原法、晶體外延生長法、化學(xué)氣相沉積法、有機(jī)合成法和碳納米管剝離法。其中，化學(xué)氣相沉積法適合工業(yè)化批量生產(chǎn)。該方法是指通過反應(yīng)物質(zhì)在氣體條件下的化學(xué)反應(yīng)和碳原子沉積在加熱的襯底表面來制備固體材料的工藝技術(shù)，通過CVD可以制備高質(zhì)量和大面積的石墨烯薄膜。

　　CVD石墨烯薄膜的生產(chǎn)實(shí)際上是通過一系列處理，特別是高溫處理，在金屬基底上生長氣體，直到氣體在金屬基底上完全生長。石墨烯本身是透明的。對于金屬基底，是否有石墨烯附著在其上，顏色只有一點(diǎn)差異，這是普通人很難看到的。然而，這種方法制備的石墨烯的尺寸基本上取決于金屬襯底的尺寸。下面介紹一下CVD石墨烯的應(yīng)用領(lǐng)域、制備方法和產(chǎn)品特性;

　　一、 應(yīng)用領(lǐng)域：

　　CVD石墨烯薄膜產(chǎn)品可以取代現(xiàn)有的氧化銦錫(ITO)，在新型信息終端、太陽能電池、電子紙、智能玻璃、有機(jī)LED等領(lǐng)域，特別是在柔性電子器件中用作透明電極。

　　CVD石墨烯薄膜具有特殊的物理性質(zhì)、高遷移率和可調(diào)的帶隙。它在高速晶體管和光電子器件領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。

　　二、 制備方法

　　1、直接剝離法生產(chǎn)石墨烯成本低，工藝復(fù)雜，不適合實(shí)際工業(yè)需求。隨著化學(xué)氣相沉積技術(shù)的出現(xiàn)，石墨烯的工業(yè)化生產(chǎn)已成為可能。

　　2、化學(xué)氣相沉積(CVD)出現(xiàn)于20世紀(jì)60年代。它主要用于制備高純度和高性能的固體薄膜。石墨烯化學(xué)氣相沉積的原理是在高溫和高真空環(huán)境下，將含碳的氣態(tài)物質(zhì)以氫氣作為還原氣體引入熔爐中生成石墨烯，所有石墨烯都沉積在基板表面。石墨烯是通過化學(xué)氣相沉積法制備的，如管式爐、微波等離子體CVD設(shè)備、射頻化學(xué)氣相沉積等。

　　三、 CVD石墨烯導(dǎo)熱和散熱涂層的特性

　　石墨烯水分散技術(shù)：將高質(zhì)量的石墨烯分散在水性樹脂中，以制備水性熱輻射涂層。

　　高紅外熱發(fā)射率：紅外熱發(fā)射率高達(dá)0.95.

　　換熱效率：熱輻射效果提高10倍以上，傳熱效率提高70%-80%。

　　涂層機(jī)械性能良好：附著力0級，耐-20℃～150℃冷熱沖擊。

　　耐溫性好：極大電阻300℃，長期使用不會脫落、變黃、開裂。

　　各種施工方法：適用于噴涂工藝，也可浸涂、刮涂、刷涂、輥涂。

　　豐富的可選基板：可以構(gòu)建普通金屬、陶瓷和塑料基板。